肖特基二极管由金属到N结构成，而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管，其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。

7.1肖特基二极管技术与结构

肖特基二极管的基本结构和技术可能看起来非常简单明了。虽然早期的肖特基二极管非常简单，但已经开发出基本技术，使小信号和功率整流二极管能够使用针对每种应用优化的技术。如今，许多二极管都包含保护环和其他改进要素，这些要素在很大程度上提高了各个领域的性能。

7.1.1基本肖特基二极管结构

肖特基二极管的基础是金属半导体界面，可以通过多种方式创建。最简单的是点接触二极管，其中金属线压在干净的 N 型半导体表面上。这种制造方法今天仍然偶尔使用，因为它便宜，但不是特别可靠和可重复。事实上，所形成的二极管可以是肖特基势垒二极管，也可以是标准的 PN 结，这取决于导线和半导体接触的方式以及最终形成过程的方式。

图：点接触肖特基二极管

早期的 Cat's Whisker 无线探测器是用这种方式制造的，虽然使用的是天然矿物晶体，但使用这些探测器发现，必须仔细定位导线以获得最佳效果，一段时间后性能会下降，并且会出现新的需要晶须的位置。

不用说，这些早期的技术如今并没有被广泛使用。其他更先进和更可靠的肖特基二极管技术和结构用于当前制造。

7.1.2真空沉积肖特基二极管结构

基本的肖特基二极管制造已经取代了早期的点接触二极管，一种流行的技术是在半导体表面真空沉积金属。这种肖特基二极管技术比早期技术所能获得的结果要好得多。

图：沉积金属肖特基二极管结构

这种肖特基二极管结构非常基本，比实际实用更图解。然而，它确实展示了肖特基二极管的基本金属半导体技术，这是其运行的关键。